- [媒體報道]新一代芯片的散熱新方法—氮化鎵(GaN)[ 2017-04-13 16:59 ]
- 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。
- http://www.coyomo.com/Article/gan_1.html
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